实现了引线框架产业界最高水平0.150mm的内腿间距.(现在正在开发内腿间距为0.135mm的产品) 和从往的引线框架相比, 由于内腿的先端能更加靠近芯片,减少了金线的使用量,使半导体体积减小,芯片数增加,从而提高其整体的价格性能比.
和从往的引线框架相比, 由于内腿的先端能更加靠近芯片,减少了金线的使用量,使半导体体积减小,芯片数增加,从而提高其整体的价格性能比.
通过高度的深弯曲加工技术,实现了P-VSON和P-VQFN等具有代表性的小型半导体封装. 在支撑内腿和中间芯片托片部的支撑部的深度弯曲方面,我们运用本公司技术的超精密加工技术和严密的计算实现了半导体封装的小型化所不可缺少的高精度复杂加工,并无限扩展了引线框架在半导体封装上的应用。. 通过CAE进行的模拟解析 弯曲加工的实例
在支撑内腿和中间芯片托片部的支撑部的深度弯曲方面,我们运用本公司技术的超精密加工技术和严密的计算实现了半导体封装的小型化所不可缺少的高精度复杂加工,并无限扩展了引线框架在半导体封装上的应用。.
我们通过高精度的铆接技术实现了高放热性IC封装所不可缺少的带有散热功能的引线框架. 我们运用本公司的超精密加工技术使得高精度铆接成为现实。采用高放热性引线框架可以实现产品的低价格。